汇银配资苏斯龚里：AI算力驱动键合设备市场高速成长

　　龚里

　　◎记者李兴彩汇银配资

　　“AI快速发展，AI芯片封装时采用的CoWoS工艺中用到各种各样的设备和工艺，临时键合是其中重要的一种。”9月4日，苏斯中国区总经理龚里在第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）半导体制造与设备及核心部件董事长论坛上，围绕AI算力给键合设备带来的新发展机遇，发表了主题演讲。

　　AI大模型及生成式AI快速发展，不断推升对AI算力芯片的需求。HBM凭借高带宽、低功耗等特性，成为AI芯片性能突破的核心组件，引领先进封装和3D堆叠技术发展，从而给后道封装设备带来激增的需求，键合设备率先受益。

　　由于在CoWoS工艺中晶圆均需要减薄汇银配资，所以临时键合工艺起到非常重要的作用。存储芯片的减薄、硅接板的减薄等，均需要用临时键合来实现晶圆的传送。

　　“减薄后的芯片堆叠在一起实现HBM模块，正经历着从低层数向高层数堆叠的快速演进。目前堆叠到12层，明年可能达到16层，后年可能达到20层，这将直接驱动键合工艺的升级换代。”龚里介绍，在目前HBM3制造中，主要依赖于微凸块（Micro Bump）技术，热压键合（TCB）是存储芯片堆叠的主流工艺。混合键合能够实现更高的集成密度和更低的功耗，在互联密度、速度、带宽密度、能耗及散热效率方面均优于传统TCB。苏斯公司也会深度参与混合键合的工艺，成为主要的设备供应商之一。

　　据摩根大通预测，HBM TCB设备市场规模将从2024年的4.61亿美元大幅增长，到2027年有望突破15亿美元，实现超2倍的扩张。Yole数据显示，2024年混合键合设备市场增速达67%，其在HBM市场的渗透率将从2025年的1%跃升至2028年的36%，对应市场规模从900万美元爆发式增长至8.73亿美元，年复合增长率超150%。

　　“在AI算力产品中英伟达模块的占比是80%，苏斯深度参与HBM3、HBM3e的临时键合和解键合工艺。”龚里介绍，在CoWoS先进封装的键合和解键合工艺中，不仅要解决设备工艺问题，还要解决各种材料、清洗问题，其中最大的挑战有三点：一是涂胶均匀准确，CMP磨片后才会平整，从而能有好的产量；二是临时键合完成后，要清洗彻底，才能保证后续的成品率；三是键合时的对准非常重要。

　　龚里介绍，苏斯有四大产品线，其中光刻机、涂胶显影和键合（包括临时键合、永久键合和混合键合）设备深度受益于先进封装技术发展；另一个产品线掩膜清洗设备，则在全球具有垄断优势。

　　苏斯成立于1949年，目前在全球有1500名员工，安装了8000台（套）设备，年产值超过4亿欧元。苏斯在亚洲的业务占到营收的80%。

　　此外，龚里还分享了铜纳米线在先进封装中面临的新机遇。他介绍，当前的先进封装中采用的是铜互联技术汇银配资，如果把铜互联的凸点制作成粗细30nm到100nm的铜纳米线，将来或许可以在室温或低温下完成TCB焊接，并将封装中的引线键合工艺省掉，从而节省大量成本。